Modulazione dell’espressione endometriale del pathway di VEGF e Notch-1 nei difetti di impianto

È stato ipotizzato che un’alterazione dell’angiogenesi possa essere responsabile dei difetti di impianto in alcune condizioni di sterilità primaria ed associata ad endometriosi. VEGF e Notch sono molecole che partecipano in maniera rilevante ai processi angiogenetici. Lo scopo dello studio è valutare l’espressione endometriale di Notch-1 e VEGF nelle varie fasi del ciclo endometriale di donne affette da endometriosi e da sterilità idiopatica in confronto a controlli sani. Materiali e metodi. È stata esaminata, con metodica immunoistochimica, l’espressione di VEGF e Notch nell’endometrio prelevato in fase proliferativa e secretiva in tre gruppi di pazienti. Gruppo A: controlli sani. Gruppo B: donne sterili affette da endometriosi. Gruppo C: donne con sterilità primaria. Risultati. Nel gruppo A l’espressione del VEGF è lieve nella fase proliferativa e moderata in quella secretiva, mentre l’espressione di Notch-1 si mantiene costantemente elevata nelle due fasi. Nel gruppo B il pattern di espressione del VEGF è invertito e l’espressione di Notch-1 è lieve nelle due fasi. Nel gruppo C l’espressione del VEGF e Notch-1 si mantiene bassa durante tutto il ciclo. Conclusioni. VEGF e Notch hanno un ruolo potenzialmente rilevante nella modulazione del rimodellamento vascolare dell’endometrio nei difetti di impianto.